占，为300mS／mm，微波输出功率密度为1．5W／nun。这是迄今为止在100mm硅片上GaNHEMT所报道的最高水平。 美国CreeLightingCompany在SiC衬底上研制成100-150μxm栅宽AIGaN／GaNHEMT，在8GHz下，可得到9．8W／mm功率密度，PAE为44％，最大电流大于1A／mm，小信号的截止频率为60-100GHz。美国加利福尼亚大学研制成异质mAlGaN／GaNHEMT。对于通常的HEMT在高的层电荷密度下，插入极薄的A1N界面层(-lmm)保持高迁移率，提高有效厶Zc和降低合金散射。基于这种结构的器件具有优良的DC和RF性能。在Vos为2V下，高的峰值电流为1A／mm，在8GHz下，功率附加效率为28％时的输出功率密度为8．4W／mm。 日本富士通公司在SiC上研制成30V大功率36WCW工作的A1GaN／GaNHEMT。表面电荷控制结构可得到高的棚-漏击穿电压和减少电流破坏。由于这种结构可得到最佳阈值电压，最大漏电流1A／mm，栅-漏击穿电压为200V。一块24mm宽棚芯片的输出功率在2．2GHz下，为45．6dBm(36w)，线性增益为9．7dB。 NEC公司所开发成功的单芯片氮化物半导体功率晶体管试验样品，创造了新记录，首次突破了100W的输出功率。这项成果，是为了适应移动通信的要求而开发的。移动通信产业的基站，需要更小体积、更高输出功率的放大器。 最大输出功率是在2GHz、占空比为10％的条件下测得的最大输出功率达到113W。在此以前，氮化物半导体晶体管的最高输出功率记录是Crec公司创造的，输出功率达到51W。将4个与此次试验样品相同的晶体管，按照工业界的标准方法组合起来构成一个器件时，其输出功率将超过450W，远远超过目前的最高水平。Crec公司研制成工作频率10GHz的GaNHEMT，脉冲RF功率为40W。该器件可用于混合放大器。12mm器件的特点：PAE为20％，功率密度为3．39W／mm。Cree已报道GaNMMIC，生长在半绝缘SiC衬底上，初步结果为：9GHz，RF脉冲功率为20W，增益为14dB，PAE为20％。 Johnpalmour说，40W混合放大器大大改进在GaAs上的功率性能，可在高热导率半绝缘SiC衬底上制作GaN器件。Cree公司坚信，GaNMMIC标志着高性能宽带MMIC基放大器新上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
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