ET)，并可用于A级和AB级放大器。这种器件在3GHz下，最小输出功率为10W(1db压缩)，在2GHz典型输出功率为12W。典型漏效率为45％，典型增益为12dB。Motorolalnc已研制SiCMESFET，在58V、3．1GHz下，输出功率为80W，PAE为38％。 SiC MESFET器件的B类功率在1.8GHz输出功率达到28．3dBm(功率密度2W／mm)，功率附加效率为50．4％。现已研制成SiCMESFET的栅宽为0．71Am，在2．1GHz下，P1dB为15W(CW)，功率附加效率为54％，SiC MESFET的fT为8．5GHz，fmax为25GHz。SiC垂直沟道场效应管(SIT)达到了很高水平，600MHz下单管输出功率为450W，多管模块等1000W；S波段，放大器的P0达36W。PAE达42％，适用于雷达系统。图17示出了SiC器件特性的现状。表14列出目前SiC器件的性能。 由于GaN电子速度高、驰豫时间短，GaN转移电子器件工作频率比GaAs及InP同类器件高一倍；另一方面GaN具有较高的电强度，因而材料可以重掺杂，并可在较高偏压下工作，器件的功率大，与GaAs相比高出数百倍，功率密度达到kW／mm2。 美国UniversityOfSouthCarolina已在周长0．15~6mm SiC衬底上研制成AIGaN/GaN MOSFET。这些多栅器件采用新的氧化--桥接方法。6mm器件的饱和电流为5.1A。栅长1.5μm时，栅漏为1μA/cm2。截止频率为8GHz。在2GHz下测得大信号输出RF功率高达2.88W/MM。研制成GaN HFET在52V，2GHz下，最大CW功率为108W。 美国University of Illinois在半绝缘SiC初底上研制成栅长为0.12μmA1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种0．12μm栅长器件显示出最大漏电流密度1．23A／mill，峰值跨导为314mS／innl，阈值电压为-5．2V，截止频率fT为121GHz，最高振荡频率fmc,为162GHz。这种／T和／咄的值是迄今GaN基HEMT所报道的最高值。 Nitronex Comporation在100mm硅片上已研制成A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种GaNHEMT器件的最大漏电流为900mA／mm，峰值上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
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