aAsPHEMT，它不仅作为反通道漏接地使用，还作为输出的反射短截线。因此在40GHz下获得足够的反射增益。 德国Siemens公司研制成用于毫米波传感器应用，特别是汽车雷达系统应用的单片单元(set)。它由高集成收发芯片，一个压控振荡器，一个谐振混频器和中功率放大器组成，这种MMIC的工作频率范围为76-77GHz，并用GaAsPHEMT制作。 FuiitsuQuantumDevicesLimied采用倒装技术和0．15μmInGaAs／GaAs HEMT工艺研制用于毫米波汽车雷达的76GHzMMIC芯片单元。芯片单元由一个76GHz放大器(芯片尺寸为1．2×1．9mm2)，一个76GHz混频器(1．9× 2．4mm2)，76GHz几个SPDT开关(1．2×1．9mm2)，一个38GHz倍频器(1．9 ×2．4mm2)，一个38GHz压控振荡器(1．2× 1．9mm2)和一个38GHz缓冲放大器组成。另外，日本也报道了38GHzHBT振荡器，其照片示于图16。 日本HitachiLtd．CentralResearchLab．研制成用于汽车远程雷达的77GHz全MMIC。 为了满足雷达系统的要求，需要研制w波段MMIC。为适应频率调制连续(FMCW)雷达系统设计许多MMIC。采用高可靠0．181lmHJFET制作工艺来研制毫米波MMIC。 France Uniteal Monohfic Semiconducters研制成应用于76．5GHz适应航行(ACC)汽车雷达的毫米波前端。这种ACC雷达基于FSK(Frequency shiftkeying)。毫米波模块采用了3块MMIC组成单芯片单元来制作。三块MMIC分别为本机振荡器芯片，功率发射芯片，下变频接收芯片。 3．4宽带隙半导体微波器件 近年来，以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引入注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作，具有优异的微波功率性能，其中以SiC的器件技术最为成熟。目前符合质量要求的75mm的SiC单晶已研制成功。1993年Sriram．S等人报道的6H-SiCMESFET在6GHz下，输出功率为3W，增益为6dB，功率附加效率为44．5％，Creelnc研制成型号为CRF-22010是碳化硅(SiC)功率金属半导体场效应晶体管(MESF上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
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