频损耗为15dB。 (3)滤波器 France''UniversityOfLimoges采用低频递归方案和全MMIC研制成新型微波滤波器。采用这种方法实现的滤波电路可应用于窄带滤波。中心频率为7GHz。 (4)收／发MMIC 德国FraunhoferlnstituteforAppliedSolideStatePhysics(1AF)采用双栅PHEMT研制成应用于FMCW雷达系统的小型共面收／发MMIC。该芯片有二级中功率放大器，一个单端阻性混频器，一个环行波导耦合器组成，依赖于0．15，lmGaAsPHEMT技术，在77GHz下，输出功率为10dBm，变频损耗为1．5dB，整个芯片尺寸仅为1．75× 1．75mm2。图14示出收／发MMIC的照片。Japan Telecommunications Business Group，Oki Electriclndustry Ltd．采用GaAsMESFET技术研制成用于1．9GHz PHS无线电通信的单芯片的RF收发机MMIC。MMIC特性，RF收发机包括一个SPDT开关，一个二级LNA，一个下变频器，一个双平衡混频器，一个AGC放大器和一个自偏置控制电路。芯片尺寸为9．3mm2。封装在带有热沉的48pinTQFP中。图15示出其方块。 NEC公司已经研制成小型高精度Ka波段4bit的单片移相器。电器结构为转换驱动式，可串接22．5°、45°、90°、180°各移相单元。作为线路转换器件，采用由欧姆电极共有技术(UEST)制作的非谐振式超小型FET开关。该开关的器件为0．15μm栅的A1GaAs／InGaAsHFET，尺寸为0．17mm×0．7mm，在0～40GHz下，插入小于1．5dB，隔离度在25dB以上。整个单片移相器尺寸为2．2mm× 2．5mm。在33-36GHz较宽的频率下，获得了相对移相误差低于70rms，插损偏差为1．2dBrms的移相特性。 日本三菱电机研制成工作于40GHz波段的MMICVCO。该器件为了控制谐振，采用了加载薄膜电阻的单披长微带谐振器，形成90°，反相式调谐电路的MMICVCO。串联谐振电路的变容管使用GaAs衬底上的肖特基结，获得了谐振范围493MHz，偏离1MHz相位噪声--84dBC／Hz的良好特性。有源器件采用栅宽Wg=100pm，栅长Lg=0．15，Am的A1GaAs／In G上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
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