出HBTMMIC放大器照片。HittiteMircrowave已研制成HBT单片微波集成电路功率放大器，工作频率为4．4-6．0GHz。该放大器采用非全封闭基座的无引线封装，即表面贴装封装技术，以便改进RF和热特性。型号为HMC415LP3，其特性：增益为20dB，饱和输出功率为+26dBm，PAE为34％。电源电压为3V。TI公司研制成应用于S波段和C波段的单片I-IBT功率放大器。该放大器在S-C波段的增益约为18dB，最大输出功率为15W，芯片尺寸为6．6×9．1mm。图11示出15W双波段HBTMMIC功放照片。图12示出功率放大器的水平。 表11和表12分别示出功率MMIC放大器特性和毫米波MMICPA性能。 3.3.2其它MMIC 除了低噪声MMIC和功率MMIC之外，MMIC在混频器、倍频器、开关、衰减器、振荡器、移相器等领域也取得很大成绩，制出了不少高性能的单片电路，现叙述有关单片电路。 （1）变频器 TriquintSemiconductorTexaslnc．研制成宽带、小功率，+3．0VPHEMT下变频IC，并可用于卫星通信系统。下变频器全部集成在单片上，无须外匹配元件。该MMIC有300~800MHzRF-Lo带宽和185~2085MHz IP带宽。UKDefenceEvaluationResearchAgency研制成用于卫星通信接收机的多功能MMIC，工作频率43．5~45．3GHz。该电路采用0．25μmPHEMTGaAs InGaAs-A1GaAs生产线工艺在GECMarconi Materials TechnologyLtd．制作。多功能MMIC在一块芯片上集成一个低噪声放大器、下变频器、本机振荡器、倍频器和缓冲放大器，其芯片尺寸为3．0 ×3．8mm2。噪声系数为4．3dB，本机振荡器在0dBm时的变频增益为8dB。 (2)倍频器、混频器 M／A-COMInc．采用GaAsHBTMMIC技术研制成模拟频率倍频器。在基频至14GHz，平均0-3dB变频增益和10dB衰减。图13示出HBTMMIC倍频器照片。表13列出混频器的研究水平。 TheUniversityOfLeeds研制成新型77GHzMMIC自振荡混频器。混频器采用单个PHEMT同时做到混频和倍频。这种混频器在77GHz下测得变频损耗为12dB，70-85GHz的平均所测变上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] 下一页
网站群导航 
网站全目录 
繁體 
收藏本页 
设为首页
问卷调查