加效率为10．5％，衬底厚度为0．0508mm。图7示出W波段单片功率放大器的照片。日本FujitsuQuantumLtd．研制成低成本金属陶瓷封装的K波段大功率MMIC放大器模块，并可应用于K波段高速无线系统。这种PA模块由于一个激励放大器MMIC和一个功率放大器MMIC组成。在23GHz和26GHz下总的增益为30dB，Pm为33dB。这种模块总的性能G(dB)×△f/fo为以前的二倍。TRWRFProductCenter报道了相关功率增益21．5dB的6W，24％PAEKa波段功率模块。功率模块由激励放大器、二级功率放大器芯片组成。这种MMIC放大器采用0．151xmlnGaAs／A1GaAs／GaAslmMT~术制作在0．0508mm厚的衬底上激励放大器的输出功率为27．5dBm，功率增益10．7dB，PAE为27％。输出功率放大器采用混合的方法，由二片局部匹配MMIC芯片和8路Wikinson组合器(制作在氧化铝衬底上)组成。这种MMIC功率放大器输出功率为35．4dBm(3．5W)，PAE为28％，相关增益为11．5dB。8路组合器的插入损耗为0．6dB。图8示出了激励放大器MMIC芯片。 MitsubishiElectricCorp．研制成用于GSM900／1800应用的3．2VT作芯片HBTMMIC功率放大器。这种IC的输出功率用于GSM900，Pou，为34．5dBm，PAE为5％，用于GSMl800(DCSl800)Pou：为32dBm，PAE为42％TRWElectronicandTechnologyDivision研制成0．5-16GHzCaAsHBT中功率放大器；MMIC，其中功率放大器示于图9。TRWInc采用CaAs／A1GaAsHBT研制成高可靠X波段MMIC放大器。静态收集极电流密度为20kAIcm2，芯片调节的单级平衡放大器在125T结温下MTF(median-time-failure)为4×1017小时。59HIA MMIC单级平衡放大器工作频率为5-9GHz，曲型增益为11dB，芯片尺寸为3．0mmX4．0mm。 Thomson-CSF已研制成0．5W，2-8GHZMMIC分配功率放大器。采用HBT功放放大器在大功率和高效率下工作，功率密度大于1W／mm，2-8GHz下的PAE为20％，在3GHz下，峰值效率为30％。图10示上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
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