B压缩点上的输出功率为4W，IP3为43dBm。在6．25GHz时的谐振响应为-35dBc，输入功率为21dBm。寄生响应小于-45 dBc。该放大器的输入输出阻抗均为50n，避免了对匹配器件的需求，并可节省电路板的尺寸，其存贮温度为-40t～+100℃。非常适合于大功率应用的场合。法国AlcatelSpacelndustries采用PHEMT的线性和非线性模型制作的二级MMIC放大器，在2dB增益压缩下输出功率为39dBm，在3．5-4．5GHz下，线性增益为27dB，PAE为42％，图4示出8WMMIC的照片。MartinCom研制成高放倍频PHEMT功率放大器，在3-6GHz下，平均功率11W，功率增益17dB，PAE为42％，峰值性能在PAE为54．5％下，达到17W。图5示出了高效MMIC功放的照片。DefenceResearchAgency研制成三级6-18GHz双沟道MMIC功率放大器，可应用于电子战。该放大器采用0．25 μmT栅，MBE生产GaAs-InGaAs-A1GaAs，n功率PHEMT工艺制作，沟道小信号增益在6-18GHz，输入失配损失>12dB，为24．1土3．4dB。在2dB增益压缩时单沟道输出功率在6-18GHz下为3．4土1．1W(脉冲)和2．4土1．1W(连续)，采用非芯片健合器，双沟道放大器输出5．1土1．3W(脉冲)，4．3±1．3W(连续)，小信号增益为24dB土3．5dB，6-18GHz。MMIC采用GaAsPHEMTFoundry工艺制作。Sanders公司研制成型号为SGPA-07006-CC~级单片微波集成电路功率放大器，频率为37-40GHz，工艺采用本公司的0．151AmGaAsPHEMT工艺。TriquintSemiconductor公司采用0．25pmPHEMT技术研制成3．48mm2，0．5W，40GHz功率放大器MMIC在6V漏偏置条件下，二级功率放大器获得小信号增益15．6dB，在ldB增益压缩下，输出功率为26．5dBm，饱和输出功率为27．9dBm，功率附加效率为26．6％。图6示出功放照片。TRW公司采用0．11xm AlGaAs／InGaAs／GaAsT栅功率PHEMT研制成二级单片W波段功率放大器。这种MMIC功率放大器在94GHz下线性增益为8dB，最大输出功率300mW，峰值功率附上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] 下一页
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